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Si3445DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
2.5 V
20
T C = - 55 °C
16
V GS = 5 V thru 3 V
16
25 °C
12
8
4
0
2 V
1. 8 V
1.5 V
1 V
12
8
4
0
125 °C
0
1
2
3
4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.20
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.16
0.12
0.0 8
V GS = 2.5 V
2000
1500
1000
C oss
C iss
0.04
0.00
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.50
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
V DS = 4 V
I D = 5.6 A
V GS = 4.5 V
I D = 5.6 A
1.25
3
2
1.00
1
0
0.75
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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